FDZ7064N详细
MOSFET N-CH 30V 13.5A BGA
FDZ7064N参数
包装:带卷 (TR),系列:PowerTrench®,FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):30V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:13.5A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:7 毫欧 @ 14.5A，10V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):43nC @ 4.5V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):3843pF @ 15V,功率 - 最大值:2.2W,安装类型:表面贴装,封装/外壳:30-WFBGA,供应商器件封装:30-BGA（4x3.5）
